采用独特的PECVD工艺；
由此电池做成的组件成全黑色；
做成组件后看不到晶界；
提升电池效率0.1%；
增强抗PID效果。
在PECVD工艺前采用氧化工艺形成一层抗PID氧化膜；
采用普通的EVA即可通过96小时，85%/85℃,-1000V的PID测试；
加强表面钝化，提升电池效率；
电池外观与常规电池完全一致。
正反面采用4主栅结构；
降低组件的串联电阻，提升填充因子，从而提升组件的CTM值，让利于客户；
提升电池效率，平均效率达到17.9%；
100根正电极栅线设计；
降低组件的串联电阻，提升填充因子，从而提升组件的CTM值，让利于客户；
平均电池效率达到17.8%
采用Al2O3/Si3N4叠层膜做为背场钝化层；
平均开路电压达到643mv；
效率比常规电池提升0.7%；电池平均效率达到18.3%；
电池外观与常规电池完全一致；
1． 先进的印刷工艺，采用主栅和副栅分开印刷，根据各部位对浆料特性的不同要求，分别选择最适合的银浆，达到最佳的综合电性能和可焊性，同时降低材料成本。
2． 严格PID控制工艺，通过表面氧化及钝化膜折射率双重措施，改善电池片的PID特性。功率衰减可控制在5%以下，长期实测值2%以内。（测试条件：温度85℃，湿度85%，电压-1000V，时间96H，非抗PID EVA）
